Samsung anunta demararea productiei de serie pentru memory flash-uri de 128GB (10nm)

de Redactia Hit | 11 aprilie 2013

Samsung a anuntat astazi ca a demarat productia de serie pentru noua generatie de memorii flash NAND de inalta performanta si care ofera 128 GB capacitate de stocare.

Capacitatea mare oferita de noua generatie de memorii flash de la Samsung este posibila prin intermediul chip-urilor 3-bit multi level cell (MLC) cu proces de fabricatie pe 10nm.

Chip-ul Samsung permite practic realizrea de solutii de stocare cu o densitate foarte mare, precum o noua generatie de solutii NAND si SSD-uri.

Potrivit Samsung, procesul de fabricatie pe 10nm asigura o performanta de 400 Mbps (rata de transfer).

Evolutia tehnologica prezentata de Samsung este foarte rapida. In urma cu doar cinci luni, compania prezenta prima solutie de stocare MLC NAND flash (10nm) de 64GB.

Totusi, in februarie 2012, SanDisk si Toshiba au reusit sa "inghesuie" 128 GB in cel mai mic cip de memorie flash, care avea o dimensiune comparabila cu o moneda.

Prezentat la acea vreme drept cel mai mic NAND flash de 128GB din lume, cipul realizat de SanDisk si Toshiba oferea o rata de transfer mult mai mica decat cea pe care o ofera acum solutia de la Samsung.

Surse: Engadget, Samsung

Recomanda   afisari

spacer
spacer
Articole similare
Citeste despre: memory flash 128GB samsung nand flash solutii stocare flash 128GB cip de memorie flash
spacer
Opiniile cititorilor
spacer